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              工藝平臺
              Process platform
              Bipolar

              1.WP32,1μm 32V Linear Bipolar

              WP32工藝是中科渝芯線性雙極工藝平臺之一。工藝平臺提供標準32V 高頻NPN管、32V LPNP管、15V 襯底PNP管,以及摻雜電阻、低溫度系數多晶電阻、高值MIS電容、齊納二極管等器件,雙層布線。工藝平臺詳盡的設計規則,精確的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

              工藝特性:

              采用N型外延, PN結隔離工藝;

              17層光罩,17層光刻(其中包含高值電阻、齊納、MIS電容、多晶電阻等可選),最少為13層光刻層;

              高頻NPN管fT≥1.2GHz;

              低溫度系數多晶電阻≤100ppm;

              采用PtSi孔接觸;

              可選器件包含:注入高值電阻、齊納二極管、MIS電容、多晶電阻等器件,以及其他特殊需求。

              典型應用:

              (1) 電源管理電路

              (2) 運算放大器電路


              2.WP18,1μm 18V Linear Bipolar

              WP18工藝是中科渝芯線性雙極工藝平臺之一。工藝平臺提供標準18V 高頻NPN管、18V LPNP管、18V 襯底PNP管,以及摻雜電阻、多晶電阻、高值MIS電容、齊納二極管等可選器件,雙層布線。工藝平臺詳盡的設計規則,精確的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

              工藝特性:

              (1) 采用N型外延, PN結隔離工藝;

              (2) 16層光罩,16層光刻層(其中包含高值電阻、齊納、MIS電容、多晶電阻,雙層布線等可選),最少為11層光刻層;

              (3) 高頻NPN管fT≥4.5GHz;

              (4) 可選器件包含:注入高值電阻、齊納二極管、MIS電容、多晶電阻等器件,以及其他特殊需求。

              典型應用:

              (1)     電源管理電路

              (2) 運算放大器電路


              3.WB18,2μm 18V Bipolar

              WB18工藝是中科渝芯標準雙極工藝平臺之一。工藝平臺提供標準PN結隔離的18V NPN管,18V LPNP管,18V SPNP管、18V VPNP管,以及摻雜電阻、齊納二極管、高值氮化硅電容等可選器件,同時具備雙層布線能力,可根據客戶需求進行選擇。工藝平臺詳盡的設計規則,精確的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

              工藝特性:

              (1) 采用N型外延, PN結隔離工藝;

              (2) 16 層光罩,16層光刻層(其中包含摻雜電阻、SPNP管、高值MIS電容、雙層布線等可選),最少為8層光刻層;

              (3) 可選器件包含:摻雜電阻、VPNP管、齊納二極管,以及其他特殊需求。

              典型應用:

              (1) 電源管理電路

              (2) 常規運算放大器電路

              (3) LDO穩壓器


              4.WX40,2μm 40V Bi-FET

              WX40工藝是中科渝芯高壓雙極-JFET兼容工藝平臺之一。工藝平臺提供40V高壓NPN管,40V橫向PNP管,40V隔離PNP管,40V P型JFET器件,以及注入高值電阻、多晶高阻、齊納二極管以及氮化硅電容等器件。同時具備雙層布線能力,可以節省芯片面積,為客戶提供產品競爭力。工藝平臺詳盡的設計規則,精確的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

              工藝特性:

              采用N型外延, PN結隔離工藝;

              (2)  21 層光罩,21層光刻層(其中包含N阱、高阻、N-基區、電容、多晶硅,雙層布線等可選),最少10層光刻層;

              (3) 可選器件:注入高值電阻、多晶高阻、齊納二極管、隔離PNP、PJFET器件,其他特殊需求。

              典型應用:

              (1) 電源管理電路

              (2) 各類運算放大器電路

              (3) LDO穩壓器


              5.WB70,4μm 70V Bipolar

              WB70工藝是中科渝芯標準高壓雙極工藝平臺之一。工藝平臺提供70V高壓NPN管,70V橫向PNP管,以及注入高值電阻、齊納二極管以及氮化硅電容等器件。同時具備雙層布線能力,可以節省芯片面積,為客戶提供產品競爭力。工藝平臺詳盡的設計規則,精確的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具

              工藝特性:

              (1) 采用N型外延, PN結隔離工;

              (2) 14 層光罩,14層光刻層(其中包含高阻、電容、雙層布線等可選),最少為9層光刻層;

              (3)  可選器件包含:注入高值電阻、齊納二極管,其他特殊需求。

              典型應用:

              (1) 電源管理電路

              (2) 常規運算放大器電路



              6.WB40,2μm 40V Bipolar

              WB40工藝是中科渝芯標準高壓雙極工藝平臺之一。工藝平臺提供40V高壓NPN管,40V橫向PNP管,40V隔離PNP管以及注入高值電阻、齊納二極管以及氮化硅電容等器件。同時具備雙層金屬布線能力,可以節省芯片面積,為客戶提供產品競爭力。工藝平臺詳盡的設計規則,精確的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

              工藝特性:

              (1) 采用N型外延, PN結隔離工;

              (2) 16 層光罩,16層光刻層(其中包含高阻、懸浮PNP管、電容、雙層布線等可選),最少為9層光刻層;

              (3) 注入高值電阻;

              (4) 可選器件包含:注入高值電阻、隔離PNP管、齊納二極管,其他特殊需求。

              典型應用:

              (1) 電源管理電路

              (2) 常規運算放大器電路

              (3) LDO穩壓器


              7.HC12,0.6μm 12V Performance Complementary Bipolar

              HC12工藝是中科渝芯高性能互補雙極工藝平臺之一。該工藝平臺采用DPSA器件結構,提供12V VNPN、VPNP管,高值多晶電阻、低值p型多晶高阻、低值n型多晶電阻以及MIS、MIM氮化硅電容以及Schottky二極管等器件。提供雙層或三層可選的布線工藝,為客戶提供產品競爭力。工藝平臺詳盡的設計規則,精確的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

              工藝特性

              (1) 雙多晶自對準工藝;

              (2) 深槽介質隔離

              (3) 模塊化設計,29(或27)次光刻;

              (4) VNPN、VPNP管特征頻率fT分別達到8.5GHz和8GHz

              典型應用:

              (1) 高速(視頻)放大器,ADSL驅動

              (2) DVD 激光二極管驅動

              (3) 高速邏輯電路


              8.HX30,0.6μm 30V Performance SOI Complementary Bipolar

              HX30工藝是中科渝芯SOI高性能互補雙極工藝平臺之一。該工藝平臺采用DPSA器件結構、SOI全介質隔離,提供30V VNPN、VPNP管,高值多晶電阻、低值p型多晶高阻、低值n型多晶電阻以及MIS、氮化硅電容以及Schottky二極管等器件。采用雙層布線工藝,為客戶提供產品競爭力。工藝平臺詳盡的設計規則,精確的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

              工藝特性:

              (1) 雙多晶自對準工藝;

              (2) SOI、深槽全介質隔離;

              (3) 模塊化設計,25(或23)次光刻;

              (4) VNPN、VPNP管特征頻率fT達到4GHz ;

              典型應用:

              (1) 高速(視頻)放大器,ADSL驅動

              (2) DVD 激光二極管驅動

              (3) 電纜調制解調器


              9.WC40S(4μm 40V high-speed Complementary Bipolar)

              WC40S(4μm 40V high-speed Complementary Bipolar)

              WC40S工藝是中科渝芯高壓高速互補雙極工藝平臺。工藝平臺提供標準40V NPN管、 VPNP管,P型結型場效應晶體管,以及高/低值摻雜電阻、低溫度系數多晶電阻、高值MIS電容、齊納二極管等器件,雙層布線。工藝平臺詳盡的設計規則,初步的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

              工藝特性:

              采用SOI片制作: 襯底材料:(100) P 型 硼摻雜 電阻率:15-20ohm-cm 器件層:(100) p 型 硼摻雜 電阻率:15-20ohm-cm 厚度 5+/-0.5um 氧化層:厚度 0.65+/-0.05um

              采用N型外延, 介質隔離工藝;

              25層光罩,25層光刻(其中包含PJFET器件、高值電阻、MIS電容、多晶電阻、薄膜電阻、雙層布線等可選),最少為15層光刻層;

              高頻NPN/PNP管fT≥0.4GHz;

              CrSi電阻溫度系數≤50ppm;

              可選器件包含:注入高值電阻、MIS電容、多晶電阻、薄膜電阻、雙層布線等器件。

              典型應用:

              (1) 電源管理電路

              (2) 放大器電路

              (3) 驅動器電路

              (4) 基準電路





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