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              工藝平臺
              Process platform
              CMOS

              1.CM06,0.6μm Analog CMOS

              CM06工藝是中科渝芯高低壓兼容模擬CMOS工藝平臺。特別適合混合信號電路應用, 如電源管理(AC-DC / DC-DC)和 LED 驅動等相關產品設計, 工藝平臺特征為0.6微米、雙多晶、雙柵氧、三層金屬布線,工藝平臺提供常規及隔離的5V低壓CMOS,15V/25V/40V/60V LDMOS 及其他高壓CMOS 器件,多晶高阻電阻(Poly-Resistance),高壓三極管(BJT),電容(Capacitance)等。CM06工藝平臺提供詳盡的設計規則、準確高溫模型、數字和模擬的標準單元庫、IP和設計包支持主要的EDA軟件工具。

              工藝特征:

              雙層多晶,3層金屬布線;

              雙柵氧 (130A/400A)

              低溫度系數多晶電阻,高精度PIP線性電容。

              多晶高阻3.5K;

              15V/25V/40V/60V 高壓MOS晶體管;

              典型應用:

              DC-DC 轉換電路;

              電源管理電路;

              低功耗數?;旌想娐?;

              高精度數?;旌想娐?;


              2.CM30(3μm  CMOS)

              CM30工藝是中科渝芯3μm 10V/25V模擬CMOS工藝平臺之一,具有較好的KFZ性能,主要適用于驅動器、接口電路。工藝平臺提供標準10V NMOS/PMOS管,25V高壓對稱型MOS管等有源器件,以及高低值摻雜電阻及低溫度系數的鉻硅電阻。單雙層布線工藝可選。工藝平臺詳盡的設計規則,精確的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

              工藝特征:

              采用N<100>型襯底P阱工藝,全流程19層光罩, 19次光刻,最少光刻10次光刻;

              高低壓器件兼容;

              單多晶、雙鋁布線工藝;

              高阻、鉻硅電阻、頂層鋁可選。

              典型應用:

              (1)電源管理

              (2)驅動器


              3.CM80(8μm  CMOS)

               CM80工藝是中科渝芯8μm 15V/33V模擬CMOS工藝平臺之一,具有較好的KFZ性能,主要適用于驅動器、接口、高壓AD/DA電路。工藝平臺提供標準低壓15V NMOS/PMOS管,高壓33V對稱型MOS管等有源器件,以及高低值摻雜電阻及低溫度系數的鉻硅電阻。單雙層布線工藝可選。工藝平臺詳盡的設計規則,精確的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

              工藝特征:

              采用N<100>型外延P阱工藝,全流程18層光罩,18次光刻,最少光刻10次光刻;

              單多晶、雙鋁布線工藝;

              高阻、鉻硅電阻、頂層鋁可選。

              典型應用:

              (1)電源管理

              (2)驅動器

              (3)高壓數模轉換器




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