1.CM06，0.6μm Analog CMOS

CM06工藝是中科渝芯高低壓兼容模擬CMOS工藝平臺。特別適合混合信號電路應用, 如電源管理(AC-DC / DC-DC)和 LED 驅動等相關產品設計， 工藝平臺特征為0.6微米、雙多晶、雙柵氧、三層金屬布線，工藝平臺提供常規及隔離的5V低壓CMOS，15V/25V/40V/60V LDMOS 及其他高壓CMOS 器件，多晶高阻電阻(Poly-Resistance)，高壓三極管(BJT)，電容(Capacitance)等。CM06工藝平臺提供詳盡的設計規則、準確高溫模型、數字和模擬的標準單元庫、IP和設計包支持主要的EDA軟件工具。

工藝特征：

雙層多晶，3層金屬布線；

雙柵氧 （130A/400A）

低溫度系數多晶電阻，高精度PIP線性電容。

多晶高阻3.5K；

15V/25V/40V/60V 高壓MOS晶體管；

典型應用：

DC-DC 轉換電路；

電源管理電路；

低功耗數?；旌想娐?；

高精度數?；旌想娐?；

2.CM30(3μm  CMOS)

CM30工藝是中科渝芯3μm 10V/25V模擬CMOS工藝平臺之一，具有較好的KFZ性能，主要適用于驅動器、接口電路。工藝平臺提供標準10V NMOS/PMOS管，25V高壓對稱型MOS管等有源器件，以及高低值摻雜電阻及低溫度系數的鉻硅電阻。單雙層布線工藝可選。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

工藝特征：

采用N<100>型襯底P阱工藝，全流程19層光罩, 19次光刻，最少光刻10次光刻;

高低壓器件兼容;

單多晶、雙鋁布線工藝;

高阻、鉻硅電阻、頂層鋁可選。

典型應用：

(1)電源管理

(2)驅動器

3.CM80(8μm  CMOS)

 CM80工藝是中科渝芯8μm 15V/33V模擬CMOS工藝平臺之一，具有較好的KFZ性能，主要適用于驅動器、接口、高壓AD/DA電路。工藝平臺提供標準低壓15V NMOS/PMOS管，高壓33V對稱型MOS管等有源器件，以及高低值摻雜電阻及低溫度系數的鉻硅電阻。單雙層布線工藝可選。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

工藝特征：

采用N<100>型外延P阱工藝，全流程18層光罩,18次光刻，最少光刻10次光刻;

單多晶、雙鋁布線工藝;

高阻、鉻硅電阻、頂層鋁可選。

典型應用：

(1)電源管理

(2)驅動器

(3)高壓數模轉換器