1、單片外延

超薄(≤0.5um)外延、薄硅(≤2um)高阻(≥20Ω.cm)外延、多層外延、SiGe外延

2、0.5 ~ 0.35um光刻能力

Nikon Stepper能力滿足0.35um線寬尺寸

3、Pt加工

Pt、Ni/Pt濺射、合金/退火工藝配備，具備功率整流器件制造，以及模擬集成電路功能的特別需求

4、多樣化的多層布線技術

以PECVD、APCVD、SACVD、PVD、WCVD、CMP、Etchback為支撐的多樣化多層布線技術；

鎢工藝及CMP設備，在0.5um的模擬集成電路領域具備最高四層金屬布線能力

5、背面及重金屬能力

(1)背面減薄、背面注入加工能力；

(2)采用Sputter、Evaporation方式的Ag、Au為代表的背面金屬加工技術

(3)正面Ag、Au金屬光刻、刻蝕工藝的能力配備

6、金屬加工技術

(1)最高可達8um的AL，以及熱AL加工能力

(2) Chamber配置的單片AlSiCu、Ti、TiN金屬加工工藝

7、多種介質及設備工藝配備

(1)基于Vertical Furnace LPCVD工藝的 TEOS、SiN、Poly加工

(2)PECVD & APCVD 工藝的PSG、BPSG、TEOS加工

8、完備的生產在線監控檢測儀器、設備

SRP、CD SEM、Overlay、Defect、FTIR、剖面電鏡、應力檢測、注入劑量和硼磷含量監測、多種類型膜厚及電阻率監測等