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              工藝平臺
              Process platform
              BCD

              1.BD10,1.0μm 40V BCD

              BD10工藝是中科渝芯BCD工藝平臺之一。工藝平臺提供雙極晶體管,常規及隔離5V CMOS, 40V高壓CMOS器件以及多晶高阻和齊納二極管等器件,應用于數?;旌系母邏寒a品。為了節省芯片面積,工藝提供1.0μm 前端0.5μm后端設計規則。詳盡的設計規則,精確的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟件工具。

              工藝特征:

              1.0μm 前端設計, 0.5μm 后端設計;

              外延隔離工藝;

              厚薄柵氧,單層多晶,雙層金屬布線;

               HV CMOS 提供Vgs/Vds=5V/40V或Vgs/Vds=40V/40V器件;

              多晶高阻1K/2K/3K 可選;

              多晶高阻、齊納二極管可選,HV CMOS提供客制化需求;

              典型應用:

              (1) DC-DC 轉換電路;

              (2) 電源管理電路;

              (3) 鋰電保護電路;

              (4) LED驅動電路;


              2.BD10H,1.0μm 700V BCD

              1.0μm 700V BCD 是中科渝芯標準超高壓工藝平臺。工藝平臺提供常規及隔離5V CMOS, 40V中壓CMOS,500V/600V/700超高壓LDMOS,700V Dep-MOS,700V NJFET,雙極型晶體管,多晶高阻和齊納二極管等器件??蓮V泛應用于離線式電源轉換芯片、LED照明驅動芯片類綠色單片智能功率集成電路產品。

              工藝特征:

              1.0μm 前端設計, 0.5μm 后端設計;

              P外延隔離工藝;

              模塊化工藝: 5V 低壓CMOS模塊, 40V中壓CMOS模塊,500V/600V/700高壓DMOS模塊;

              靈活的高壓啟動器件方案:700V Dep-MOS/700V NJFET;

              可選器件:多晶高阻、齊納管、客制化超高壓LDMOS IP;

              頂層金屬厚度可選;

              典型應用:

              (1) AC-DC 轉換電路

              (2) LED照明驅動電路;


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