SOI材料片

SOI材料參數技術指標與全球主要SOI供應商水平相當,目前機臺能力具備4000片/月

相關參數：⑴6英寸（150mm）

⑵SOI device wafer（頂層硅膜）厚度：2-200um

⑶BOX（埋氧層）厚度：0.1-2um

⑷Handle wafer（襯底）厚度：500-625um

⑸背面：拋光或腐蝕

均勻性：   ⑴SOI device wafer厚度：目標值±0.5um（2-40um）；目標值±1um（40-200um）

⑵BOX：目標值±10%

⑶Handle wafer：目標值±10um

提供數據：⑴每批次可提供TTV、BOW、WARP值

⑵可提供每片SOI頂層硅膜9點厚度值